109號(hào)功率MOS晶體管、1GBT芯片廠房施工工程招標(biāo)公告

項(xiàng)目名稱：西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園109號(hào)功率MOS晶體管/1GBT芯片廠房施工工程

　　項(xiàng)目概況：陜西電子信息集團(tuán)有限公司投資建設(shè)，位于西三環(huán)與錦業(yè)路西北角，西安半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，總建筑面積13147.69平方米，2層框架結(jié)構(gòu)廠房。

　　項(xiàng)目地點(diǎn)：西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)內(nèi)

　　招 標(biāo) 人：陜西電子信息集團(tuán)有限公司

　　招標(biāo)代理：西安建工建設(shè)工程招標(biāo)有限公司

　　報(bào)名條件：

　　1、具備獨(dú)立法人資格；

　　2、具備建設(shè)行政主管部門頒發(fā)的房建壹級(jí)總承包資質(zhì)，擬報(bào)項(xiàng)目經(jīng)理為壹級(jí)建造師；

　　3、本項(xiàng)目不接受聯(lián)合體形式的申請(qǐng)。

　　報(bào)名時(shí)請(qǐng)攜帶公司介紹信。

　　報(bào)名時(shí)間：2011年3月12日—2011年3月18日（周日除外）

　　報(bào)名地點(diǎn)：西安市西北二路1號(hào)省發(fā)改委培訓(xùn)中心六樓601室

　　聯(lián)系人***

　　聯(lián)系電話***