華中科技大學納米圖形發生系統單一來源公告

采購單位：華中科技大學

采購單位地址：***

采購單位聯系方式***

一、擬采購的貨物或者服務的說明:

隨著Si材料電力電子器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優異的特性，給電力電子產業的發展帶來了新的生機。相對于Si材料，使用寬禁帶半導體材料（以氮化鎵和碳化硅為代表）制造新一代的電力電子器件，可以變得更小、更快、更可靠和更高效。這將減少電力電子元件的質量、體積以及生命周期成本，允許設備在更高的溫度、電壓和頻率下工作，使得電子電子器件使用更少的能量卻可以實現更高的性能，是世界各國半導體研究領域的熱點。 已建成的微納加工平臺目前擁有400 m2工藝實驗室面積，現可以開展光刻輔助的勻膠、噴膠、烘膠、顯影、腐蝕、高溫擴散氧化退火、原子層沉積等工藝；工藝測試區主要有掃描電子顯微鏡（SEM）、原子力顯微鏡、高低溫探針臺、半導體特性參數測試儀、大功率手動探針臺、功率器件分析儀等。因此，為了充分和現有平臺的條件進行結合，在制備半導體器件過程中還缺少最核心也是最重要的設備：納米圖形發生系統。該設備的購置將極大地提高現有微納平臺對的效率和科研的進度，為電力電子器件的研究提供保障。該設備的購置將為眾多學科領域特別是半導體、光學、材料、物理等領域的用戶研究提供支持。

二、采用單一來源采購方式的原因及相關說明:

納米圖形發生系統是加工納米結構器件的必備手段，該設備的購置將極大地提高現有微納平臺對的效率和科研的進度，為電力電子器件的研究提供保障，為眾多學科領域特別是半導體、光學、材料、物理等領域的用戶研究提供支持。

根據實驗室科研的必須要求，擬購置的設備必須同時滿足高分辨率（亞10nm）、高精度套刻、大小寫場靈活調節、低電壓加工能力、高分辨成像能力等技術指標。經調研，市面上僅德國RAITH GmbH 公司的eLINE PLUS納米圖形發生設備性能充分符合技術需求。該項采購符合《中華人民共和國政府采購法》第三十一條第一款“只能從唯一供應商處采購的”的情形。

三、開標時間：

四、擬定的唯一供應商名稱及其地址：***